隨著IT技術的快速發展，對非易失性存儲器的需求越來越大，讀寫速度要求越來越快，功耗要求越來越小。現有的傳統非易失性存儲器，如EEPRM和FLSS，已經難以滿足這些需求。與其他類型的半導體技術相比，鐵電存儲器具有更低的功耗、更快的讀寫能力和更強的REPRM存儲功能，與ROM技術相同，是一種非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器相比，鐵電存儲器具有功耗低、讀寫速度快、輻照能力強等優點，因此受到廣泛關注。

一、鐵電存儲器的定義

鐵電存儲器(FRAM，ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問結合起來。由于鐵電存儲器不像動態隨機存取存儲器(DRAM)和靜態隨機存取存儲器(SRAM)一樣密集，它很可能不能取代這些技術。

二、鐵電存儲器的工作原理

FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲。鐵電效應是指在鐵晶體上施加一定電場時，晶體中心原子在電場的作用下移動，達到穩定狀態;當電場從晶體中移除時，中心原子將保持在原始位置。這是因為晶體的中間層是一個高能階，當沒有獲得外部能量時，中心原子不能超過高能階到達另一個穩定位置。因此，FRAM不需要電壓來保持數據，也不需要像DRAM那樣定期刷新。由于鐵電效應是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無關，所以FRAM存儲器的內容不會受到外界條件諸如磁場因素的影響，能夠同普通ROM存儲器一樣使用，具有非易失性的存儲特性。

FRAM的特點是速度快，可以像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在E2PROM等最大寫作次數的問題。然而，受鐵晶體特性的限制，FRAM的訪問次數仍然最多。

三、鐵電存儲器應用

由于鐵電存儲器可以在非常低的電能需求下快速存儲，因此有望廣泛應用于消費者的小型設備中，如個人數字助理(PDA)、手機、電源表、智能卡和安全系統。鐵電存儲器(FRAM)比閃存快。在某些應用中，它也可能取代電能擦除只讀存儲器(EEPROM)和靜態隨機存取存儲器(SRAM)，成為未來無線產品的關鍵元件。

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