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YF8A052E

九齊芯片

NY8A052E是以EPROM作為記憶體的 8 位元微控制器,專為多IO產(chǎn)品的應(yīng)用而設(shè)計(jì),例如遙控器、風(fēng)扇/燈光控制或是游樂器周邊等等。采用CMOS制程并同時提供客戶低成本、高性能等優(yōu)勢。NY8A052E核心建立在RISC精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編輯和控制,共有 55 條指令。除了少數(shù)指令需要 2 個時序,大多數(shù)指令都是 1 個時序即能完成,可以讓使用者輕松地以程式控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。
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  • 產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品概述

NY8A052E是以EPROM作為記憶體的 8 位元微控制器,專為多IO產(chǎn)品的應(yīng)用而設(shè)計(jì),例如遙控器、風(fēng)扇/燈光控制或是游樂器周邊等等。采用CMOS制程并同時提供客戶低成本、高性能等優(yōu)勢。NY8A052E核心建立在RISC精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編輯和控制,共有 55 條指令。除了少數(shù)指令需要 2 個時序,大多數(shù)指令都是 1 個時序即能完成,可以讓使用者輕松地以程式控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。

在I/O的資源方面,NY8A052E有 14 根彈性的雙向I/O腳,每個I/O腳都有單獨(dú)的暫存器控制為輸入或輸出腳。而且每一個I/O腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開漏極(Open-Drain) 輸出。此外針對紅外線搖控的產(chǎn)品方面,NY8A052E內(nèi)建了可選擇頻率的紅外載波發(fā)射口。

NY8A052E有兩組計(jì)時器,可用系統(tǒng)頻率當(dāng)作一般的計(jì)時的應(yīng)用或者從外部訊號觸發(fā)來計(jì)數(shù)。另外NY8A052E提供 4組 10 位元解析度的PWM輸出或者蜂鳴器輸出,可用來驅(qū)動馬達(dá)、LED、或蜂鳴器等等。

NY8A052E採用雙時鐘機(jī)制,高速振盪或者低速振盪都可以分別選擇內(nèi)部RC振盪或外部Crystal輸入。在雙時鐘機(jī)制下,NY8A052E可選擇多種工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機(jī)模式(Standby mode) 與睡眠模式(Halt mode)可節(jié)省電力消耗延長電池壽命。并且微控制器在使用內(nèi)部RC高速振盪時,低速振盪可以同時使用外部精準(zhǔn)的Crystal計(jì)時。可以維持高速處理同時又能精準(zhǔn)計(jì)算真實(shí)時間。

在省電的模式下如待機(jī)模式(Standby mode)與睡眠模式(Halt mode)中,有多種事件可以觸發(fā)中斷喚醒NY8A052E進(jìn)入正常操作模式(Normal) 或 慢速模式(Slow mode) 來處理突發(fā)事件。

產(chǎn)品功能
YF8A052E

寬廣的工作電壓:

2.0V ~ 5.5V @系統(tǒng)頻率≦8MHz。

2.2V ~ 5.5V @系統(tǒng)頻率>8MHz。

寬廣的工作溫度:-40°C ~ 85°C。

1.5Kx14 bits EPROM。

96 bytes SRAM。

內(nèi)建準(zhǔn)確的低電壓偵測電路(LVD)。14 階 ( 2.2V ~ 4.15V)

內(nèi)建準(zhǔn)確的電壓比較器(Voltage Comparator)。

14 根可分別單獨(dú)控制輸入輸出方向的I/O腳(GPIO)、PA[5:0]、PB[7:0]。

PA[5:0]及PB[3:0]可選擇輸入時使用內(nèi)建下拉電阻。

PB[7:0]可選擇上拉電阻或開漏極輸出(Open-Drain)。

8 層程式堆棧(Stack)。

存取資料有直接或間接定址模式。

一組 8 位元上數(shù)計(jì)時器(Timer0)包含可程式化的頻率預(yù)除線路。

一組 10 位元下數(shù)計(jì)時器(Timer1)可選重復(fù)載入或連續(xù)下數(shù)計(jì)時。

4 個 10 位元的脈衝寬度調(diào)變輸出(PWM1~PWM4),PWM1/2/3/4 共用Timer1.

一個蜂鳴器輸出(BZ1)。

38/57KHz紅外線載波頻率可供選擇,同時載波之極性也可以根據(jù)數(shù)據(jù)作選擇。

紅外線載波發(fā)射口。

內(nèi)建上電復(fù)位電路(POR)。

內(nèi)建低壓復(fù)位功能(LVR)。

內(nèi)建看門狗計(jì)時(WDT),可由程式韌體控制開關(guān)。

雙時鐘機(jī)制,系統(tǒng)可以隨時切換高速振盪或者低速振盪。

高速振盪: E_HXT (超過 6MHz外部高速石英振盪)

E_XT (455K~6MHz外部石英振盪)

I_HRC (1~20MHz內(nèi)部高速RC振盪)

低速振盪: E_LXT (32KHz外部低速石英振盪)

I_LRC (內(nèi)部 32KHz低速RC振盪)

四種工作模式可隨系統(tǒng)需求調(diào)整電流消耗:正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機(jī)模式(Standby mode) 與 睡眠模式(Halt mode)。

六種硬體中斷:

Timer0 溢位中斷。

Timer1 借位中斷。

WDT 中斷。

PB 輸入狀態(tài)改變中斷。

外部中斷輸入。

低電壓偵測中斷。

NY8A052E在待機(jī)模式(Standby mode)下的六種喚醒中斷:

Timer0 溢位中斷。

Timer1 借位中斷。

WDT 中斷。

PB 輸入狀態(tài)改變中斷。

外部中斷輸入。

低電壓偵測中斷。

NY8A052E在睡眠模式(Halt mode)下的叁種喚醒中斷:

WDT 中斷。

PB 輸入狀態(tài)改變中斷。

外部中斷輸入。

引腳圖

NY8A052E提供三種封裝形式: SOP16, SOP14 和 SOP8

YF8A052E

推薦產(chǎn)品

NY8A051C

NY8A051C單片機(jī)

九齊NY8A051C單片機(jī)是以EPROM作為記憶體的8位單片機(jī),專為多IO產(chǎn)品的應(yīng)用而設(shè)計(jì),例如遙控器、風(fēng)扇/燈光控制或是遊樂器周邊等等。採用CMOS製程並同時提供客戶低成本、高性能、及高抗電磁干擾等顯著優(yōu)勢。NY8A051C核心建立在RISC精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編輯和控制,共有55條指令。除了少數(shù)指令需要2個時序,大多數(shù)指令都是1個時序即能完成,可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又複雜的應(yīng)用。
NY8A051D單片機(jī)

NY8A051D單片機(jī)

NY8A051D是以EPROM作為存儲器的8位單片機(jī),專為多IO產(chǎn)品的應(yīng)用而設(shè)計(jì),例如遙控器、風(fēng)扇/燈光控制或是玩具周邊等等。采用CMOS制程并同時提供客戶低成本、高性能等優(yōu)勢。NY8A051D核心建立在RISC精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編程和控制,共有55條指令。除了少數(shù)指令需要兩個指令時鐘,大多數(shù)指令都是一個指令時鐘能完成,可以讓用戶輕松地以程序控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。
NY8A062D

NY8A062D單片機(jī)

NY8B062D是以EPROM作為存儲器的8位單片機(jī),專為家電或量測等等的I/O應(yīng)用設(shè)計(jì)。采用CMOS制程并同時提供客戶低成本、高性能、及高性價比等顯著優(yōu)勢。NY8B062D核心建立在RISC精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編程和控制,共有55條指令。除了少數(shù)指令需要兩個指令時鐘,大多數(shù)指令都是一個指令時鐘能完成,可以讓用戶輕松地以過程控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。NY8B062D內(nèi)建高精度十一加一通道12位ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換器,與高精度電壓比較器,足以應(yīng)付各種模擬接口的偵測與量測。
NY8A062A

NY8A062A單片機(jī)

NY8B062A是以EPROM作為記憶體的8位元微控制器,除了適用於家電或量測等等的I/O應(yīng)用設(shè)計(jì)。更針對霧化器產(chǎn)品做優(yōu)化調(diào)適。採用CMOS製程並同時提供客戶低成本、高性能、及高抗電磁干擾等顯著優(yōu)勢。NY8B062A核心建立在RISC精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編輯和控制,共有55條指令。除了少數(shù)指令需要2個時序,大多數(shù)指令都是1個時序即能完成,可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又複雜的應(yīng)用。
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